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簡(jiǎn)要描述:HPPD系列非制冷型光電探測(cè)器是一種高靈敏度光電探測(cè)器,兼容Si(硅)、InGaAs(銦鎵砷)、HgCdTe(碲鎘汞,MCT)、銦砷銻等半導(dǎo)體光電二極管,對(duì)0.4~12um的光譜波段光波敏感。該探測(cè)器是直流耦合輸出,含低噪聲、寬帶寬的前置運(yùn)放,探測(cè)器外殼采用全鋁合金材料,即可起到屏蔽環(huán)境電磁干擾,也具備良好的散熱性能。
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【產(chǎn)品簡(jiǎn)介】
HPPD系列非制冷型光電探測(cè)器是一種高靈敏度光電探測(cè)器,兼容Si(硅)、InGaAs(銦鎵砷)、HgCdTe(碲鎘汞,MCT)、銦砷銻等半導(dǎo)體光電二極管,對(duì)0.4~12um的光譜波段光波敏感。
該探測(cè)器直流耦合輸出,含低噪聲、寬帶寬的前置運(yùn)放,探測(cè)器外殼采用全鋁合金材料,即可起到屏蔽環(huán)境電磁干擾,也具備良好的散熱性能。
【HPPD系列非制冷型光電探測(cè)器·產(chǎn)品特點(diǎn)】
l兼容Si(硅)、InGaAs(銦鎵砷)、碲鎘汞等半導(dǎo)體光電二極管
l波長(zhǎng)覆蓋0.4um至2.6um(近紅外)波段
l含低噪聲、寬帶寬的前置運(yùn)放
l±12VDC電源輸入,0至10V電壓信號(hào)輸出
l兼容Thorlabs®標(biāo)準(zhǔn)SM1(1.035″-40)螺紋
【產(chǎn)品參數(shù)】
探測(cè)器材料 | 銦鎵砷、硅、碲鎘汞 |
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 | 0.4 - 12um |
輸出電壓 | ±12V(Hi-Z負(fù)載); |
供電電壓 | ±12VDC(電源適配器); |
信號(hào)輸出接口 | SMA |
工作溫度范圍 | 10 - 40℃ |
儲(chǔ)存溫度范圍 | -25 - 70℃ |
尺寸 | 56×54.5×20.5mm3 |
重量 | <100g |
信號(hào)帶寬 | DC - 1MHz |
跨阻增益 | 15000V/A(Hi-Z 負(fù)載);7500V/A(50Ω 負(fù)載) |
HPP
【型號(hào)規(guī)格】
HPPD - A - D - X - XX - XX - XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥
① =A | 不集成TEC驅(qū)動(dòng) |
② =D | 直流耦合輸出 |
③ =S;I;H;A | 代表探測(cè)器材質(zhì);S=硅探測(cè)器;I代表銦鎵砷探測(cè)器;H代表碲鎘汞探測(cè)器;A代表銦砷銻探測(cè)器 |
④ =01;02;03;04依次類(lèi)推 | 探測(cè)截止波長(zhǎng); 01表示截止波長(zhǎng)為1um,02表示截止波長(zhǎng)為2um,03表示截止波長(zhǎng)為3um,依次類(lèi)推??蛻?hù)采購(gòu)前需咨詢(xún)。 |
⑤ =02,05,10,... | 感光面積;02表示感光面積為0.2mm2,05表示感光面積為0.5mm2??蛻?hù)采購(gòu)前需咨詢(xún)。 |
⑥ =01K, 02K, ...or 20 K | 前置放大器增益,默認(rèn)15K不標(biāo)識(shí)??蛻?hù)采購(gòu)前需咨詢(xún)。 |
例如:
HPPD-A-D-S-02-10-10K
該探測(cè)器規(guī)格為:硅探測(cè)器,一個(gè)感光面為1.0 mm2,前置放大器為直流耦合,波長(zhǎng)2um,增益為10K的探測(cè)器
結(jié)構(gòu)尺寸(單位:mm)
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